芯片失效分析是一种对芯片故障进行深入研究和分析的过程，其目的是找出导致故障的具体原因，并提出相应的解决方案。芯片失效可能由多种因素引起，包括材料质量问题、制造过程中的缺陷、温度、电压等环境因素，以及电路设计中可能存在的错误等。失效分析的主要目标是确定失效的根本原因，以便采取适当的措施来提高芯片的可靠性和稳定性。

　　如何进行芯片失效分析

　　在进行芯片失效分析时，可能会用到一系列的设备和方法。例如，通过光学显微镜(OM)可以观察芯片的表面形貌;通过X光检查可以了解材料的内部结构;通过反应离子刻蚀(RIE)、电子显微镜(EMMI)等方法可以深入研究芯片的微观结构。此外，还可以利用电性测试(IV)等手段，对芯片进行详细的电气性能测试。在某些情况下，为了获取更直观的信息，可能需要进行剖面分析(decap)或者用X光计算断层扫描(CT)来获得三维信息。

　　芯片失效分析步骤

　　芯片失效分析是一项复杂的过程，涉及多个步骤和各种分析方法。以下是一般的芯片失效分析步骤：

　　1、外观检查

　　首先进行外观检查，查看是否有crack、burnt mark等现象，并拍照记录。

　　2、非破坏性分析

　　通过X射线检查内部结构，超声波扫描显微镜(C-SAM)观察是否存在delamination等现象。

　　3、电性能测试

　　使用IV、万用表、示波器等工具进行电测，以确定失效模式。电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。

　　4、破坏性分析

　　通过机械decap、化学decap和芯片开封机等方法，进一步深入研究芯片的内部结构和失效原因。

　　5、验证失效模式

　　确保所定义的失效模式是正确的，避免因误解导致不必要的分析工作。

　　6、确认失效种类

　　失效种类可以分为电性和物理两类。电性失效可能涉及参数异常、IV曲线问题或漏电流等;物理失效特征可能包括封装损坏、腐蚀等。同时，还需了解失效产生的测试环境，如burn-in、ESD等。

　　7、芯片开封

　　为进一步的失效分析实验做准备，去除IC封胶，确保芯片功能完整无损。

　　8、SEM扫描电镜/EDX成分分析

　　进行材料结构分析、缺陷观察和元素组成常规微区分析。